SanDisk и Toshiba преминаха към 43-нм NAND памет

К�п �порацията SanDisk съвместно с японската компания Toshiba съобщи за пускането в производство на NAND памет на базата на клетки с много нива (Multi-Level Cell, MLC) по 43-нанометрова технология.

Новият процес осигурява двойно по-голяма плътност на чипа в сравнение с тази при 56-нанометровата технология. Този подход позволява да се понижи цената на кристала, като в същото време се запази високата производителност и надеждност на паметта.
SanDisk възнамерява да започне доставките на едночипова MLC NAND памет с най-голямата в момента плътност на съхранение на информацията през второто тримесечие на 2008 г. Отначало компанията планира производството на чипове с капацитет 16 GB, а през втората половина на тази година - и варианти от 32 GB.
Първоначално 43-нм флаш паметта ще се произвежда във Fab 4, наскоро пуснатия съвместен завод на SanDisk и Toshiba, в който се изработват 300-мм силициеви пластини. Във втората половина на 2008 г. се очаква и предприятието Fab 3 да премине към новата 43-нанометрова технология.
Освен това компанията SanDisk съобщи за успешна разработка на нова технология, позволяваща в една клетка от NAND памет да се съхраняват до 3 бита данни, вместо досегашните 2 (или още наричаната технология "x3"). Първите образци от този тип продукти най-вероятно ще се появят през март или април тази година.


Източник: IDG.BG