Intel заедно със STMicroelectronics започнаха доставки на пробни образци на първата в света фазова памет. Устройството Alverstone се произвежда по 90 nm технология, побира 32 МВ информация и е предназначено за крайни потребители. По данни на производителя, фазовата памет (Phase Change Memory, PCM) предлага високо скорости за четене/запис на данните, като консумира по-малко енергия в сравнение със сегашната флаш памет.
За първи път технологията е описана от един от основателите на Intel – Гордън Мур през 1970 г. Впоследствие анализаторите направиха доста оптимистични прогнози, че тази памет ще се появи през 2003 г.
През 2004 г. Intel демонстрира прототип на фазова памет с капацитет 1 МВ, използваща 180 nm технология. Прототип с капацитет 128 Mbit и реализиран по 90 nm технологичен процес беше представен през април 2007 г. Тогава компанията заяви, че до няколко месеца ще започне производство на тази памет.
Според експерти, цената на PCM ще пада по-бързо, отколкото цената на флаш паметта. С времето фазовата памет ще се използва в мобилни телефони, цифрови фотоапарати, плейъри, компютри и друго високотехнологично оборудване.
Intel и STMicroelectronics не са единствените, които се занимават с разработката на подобни технологии. В края на 2006 г. за създаване на памет, използваща фазовото състояние на веществото обявиха IBM, Macronix и Qimonda. Но техните разработки ставаха ненадеждни след 100 000 цикъла. През септември миналата година учени от университета в Пенсилвания изобретиха фазова памет 1000 пъти по-бърза от съществуващата флаш памет.
Източник: IDG.BG
