Н ов тип памет, алтернатива на флаша, демонстрира Intel на форума за разработчици в Пекин. Чипът с кодово име Alverston използва технология, по която гигантът работи от десетилетия.
В основата е материал, който наподобява този за направата на компактдисковe.
Първите образци на новата памет са разработени съвместно с компанията ST Microelectronics и се очакват на пазара още през първата половина на 2007 г.
При нагряване на материала неговите състави частици кристализират. В процес на четене на данни лъчът попада там, отразява се и така се получава логическа "единица". След охлаждане, кристализираният материал става аморфен и се превръща в "нула".
Изменението на състоянието се извършва под въздействие на електрически заряд или мигновено нагряване до 600 градуса по Целзий.
Очаква се технологията да замени съществуващите флаш памети, които се използват широко в потребителската електроника и компютрите.
Доскоро се считаше, че флаш паметите ще бъдат изместени от нанокристали и магнитни памети. Напоследък обаче разработчиците посочват като най-подходяща алтернатива паметта с променлива фаза.
Още през 1970 г. Гордън Мур, един от основателите на Intel, въведе термина "фазова памет" в бюлетина Electronics.
Предимство на този тип технология в сравнение с традиционните чипове е по-малкото енергопотребление и възможността за поместване в кристала на по-голямо количество битове с информация, които трудно променят състоянието си под влияние на външни въздействия.
Според прогнозите на анализаторите, масовото производство на такива чипове трябваше да започне още през 2003 г.
