DRAM дълго време се задържа като основен тип оперативна памет. Макар тази технология да има славна история от не едно десетилетие, според експертите нейният край вече наближава. Причината е проста – невъзможно е да се намалява размерът на клетката до безкрай и настъпва време, когато трябва да се внесат принципни промени.
Разработчиците на DRAM подобно на архитекти са усвоили вертикалното развитие – пропорциите на кондензаторите в DRAM клетките с течение на времето се промениха така, че те до голяма степен приличат на жилищни блокове. Сега, когато кондензаторите повече приличат на небостъргачи, отколкото на плоски конструкции, икономически ефективни пътища за понататъшната миниатюризация са неизвестни. Предполага се, че преходът към 40 nm технология ще съвпадне с появата на нов тип памет, който ще позволи увеличаване на плътността на съхранение.
Технологията, която се спряга за вероятен наследник на DRAM е известна като „памет с плаващо тяло“ (FBM). Ключова особеност на FBM е липсата на кондензатор в клетката на паметта.
Как работи тази клетка? Във FBM състоянието на клетката се съхранява непосредствено в областта на електрически „изолираното тяло“ на транзистора. За формиране на такива транзистори се използва технологията SOI (силиций на изолатор), но с прехода към обемни транзистори, например FinFET, много ако не и всички технологични процеси ще използват SOI подложки.
Отсъствието на кондензатор не само позволява да се намалят размерите на клетката, но и да се намалят производствените разходи. Направата на DRAM кондензатори изисква много допълнителни производствени етапи, които са около 20% от себестойността на пластината с чипове DRAM. Освен това, наличието на кондензатори намалява процента на годните изделия.
Макар окончателната съдба на DRAM още да не е решена, бъдещето на FBM изглежда многообещаващо, пише EE Times.
Източник: IDG.BG
