Т рябва да отдадем чест на инженерите от IBM. Момчетата работят неуморно, дори когато тяхната компания има повод за голямо празненство, а именно своята 100 годишнина.
Инженерите на IBM обявиха, че са създали „памет с промяна на фазата" (Phase Change Memory - PCM), която чете и пише сто пъти по-бързо от флаш паметта и остава надеждна дори при няколко милиона цикъла записи. Добра новина е, че тя ще бъде и достатъчно евтина да бъде използвана във всякакви устройства като мобилни телефони, таблети и други.
РСМ е базирана на специален слой, който може да преминава в различни физически състояния или фази чрез контролиран поток от електричество. Ще очакваме повече информация от IBM в скоро време.
