Изследователи от Intel обявиха значителен пробив в областта на силициевата фотоника – технология, позволяваща да се предават данни в чиповете с помощта на светлинни импулси. В съвременните микросхеми информацията се предава по метални връзки на доста по-ниска скорост.
В статия публикувана в Nature Photonics се описва нов лавинен фотодетектор (APD — Avalanche Photodetector), предназначен за улавяне на светлинните импулси и усилване на сигнала в микроелектронните устройства. Детекторът използва силициеви компоненти и това е главното му преимущество. Други аналогични разработки използват различни материали, например индий и фосфор. Тези компоненти са много по-скъпи и това е проблем за внедряването им в масово производство.
Датчикът представлява миниатюрно устройство, способно да улавя светлинните импулси и да ги преобразува в електрически сигнали. За разлика от другите сензори, получаващи един фотон и конвертиращи го в електрон, APD може да усилва получения сигнал многократно. Ключова характеристика на APD е по-широката честотна лента, равна на 340 GHz, която е три по-висока в сравнение с другите детектори. При съвременните детектори тя е 120 GHz.
Разработката на Intel позволява да се предават данни по оптична връзка със скорост 40 Gbit/s и повече. Технологията може да се появи в масови продукти още през 2010 г. В нейната разработка са взели участие Агенцията за съвременни отбранителни проекти на САЩ (DARPA), учени от няколко американски университета и компанията Numonyx, създадена от Intel и STMicroelectronics през 2008 г.
Източник: IDG.BG
* Моля, коментирайте конкретната статия и използвайте кирилица! Не се толерират мнения с обидно или нецензурно съдържание, на верска или етническа основа, както и написани само с главни букви!